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半導體集成電路是在一個單晶基片上形成非常多的(已達10s元件/芯片)雙極晶體管和MOS晶體管等器件,為了發(fā)揮各自所定的功能,并用布線互相連結(jié)起來。
在這種半導體集成電路中,對絕緣薄膜的利用,可根據(jù)其作用和所要求的特性以及在膜形成工藝中所提出的條件,分類如下:
?、倮鏜OS晶體管中的柵絕緣膜,利用了絕緣膜/半導體界面現(xiàn)象,由此可實現(xiàn)有源器件的功能;
②和器件相接觸,如覆蓋在晶體表面的SiOz膜,可以使晶體表面的化學性質(zhì)以及電學性質(zhì)不活潑,從而達到穩(wěn)定器件特性的目的;
?、廴缭谄骷g的晶體表面上形成的SiOz膜,使器件之間電氣隔離并在表面上相互布線為目的的絕緣膜(場氧化膜);
④布線層之間電氣絕緣為目的的層間絕緣膜;
?、輳奈锢淼暮突瘜W的角度保護器件為目的,在集成電路的表面上形成的作為表面覆蓋膜的絕緣膜;
⑥用于集成電路工藝\中,并用在雜質(zhì)擴散、腐蝕、襯底表面氧化等進行局部工藝時的掩模等。